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上海威世蘭?？萍加邢薰?，歡迎您！
上海威世蘭?？萍加邢薰?/strong>Shanghai Weishi Lanhai Technology Co., Ltd.
銷售：18939898639
技術：18221168368
    產品系列 圖片 規(guī)格書 參數 描述
    FMD2N50E5 Vdss:500V,Id:2.0A,Rds:5.0Ω,TO-252,N-Channel 峰岹 插件功率MOSFET
    ●FMD2N50E5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：65ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫
    ●適用于電機控制應用,不間斷電源,零電壓開關電源
    FMD5N50P5 Vdss:500V,Id:5.0A,Rds:1.0Ω,TO-220F,N-Channel 峰岹 插件功率MOSFET
    ●FMD5N50P5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：100ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫
    ●適用于電機控制應用,不間斷電源,零電壓開關電源
    FMD5N50E5 Vdss:500V,Id:5.0A,Rds:1.0Ω,TO-252,N-Channel 峰岹 貼片功率MOSFET
    ●FMD5N50E5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：100ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫
    ●適用于電機控制應用,不間斷電源,零電壓開關電源
    FMD3N60E5 Vdss:600V,Id:3.0A,Rds:2.6Ω,TO-252T,N-Channel 峰岹 貼片功率MOSFET
    ●FMD3N60E5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：85ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單,較低的導通電阻
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫,符合RoHS
    ●適用于電機控制應用,不間斷電源,零電壓開關電源
    FMD5N60E5 Vdss:600V,Id:5.0A,Rds:1.5Ω,TO-252T,N-Channel 峰岹 貼片功率MOSFET
    ●FMD5N60E5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：140ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單,較低的導通電阻
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫,符合RoHS
    ●適用于電機控制,不間斷電源,零電壓開關電源
    FMD7N60E5 Vdss:600V,Id:7.0A,Rds:1.1Ω,TO-252T,N-Channel 峰岹 貼片功率MOSFET
    ●FMD7N60E5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：198ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單,較低的導通電阻
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫,符合RoHS
    ●適用于電機控制,不間斷電源,零電壓開關電源
    FMD7N60P5 Vdss:600V,Id:7.0A,Rds:1.1Ω,TO-220FP,N-Channel 峰岹 插件功率MOSFET
    ●FMD7N60P5硅基N溝道增強型垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
    ●trr：198ns
    ●快恢復體二極管消除了零電壓開關應用中對外部二極管的需求
    ●較低的柵極電荷使得驅動更簡單,較低的導通電阻
    ●更高的閾值電壓提供了更好的噪聲免疫,符合RoHS
    ●適用于電機控制,不間斷電源,零電壓開關開關電源